Ключ. слова: полупроводниковый детектор, CdZnTe, вольт-амперная характеристика, омический контакт, структура "металл-полупроводник".
Індекс рубрикатора НБУВ: В381.3

Рубрики:

Мішені

Шифр НБУВ: Ж14479 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Среди полупроводников, которые используются в спектрометрах и дозиметрах, ведущие позиции принадлежат широкозонным соединениям Cd1-xZnxTe, CdTe, HgI2. Возникает вопрос, является ли этот выбор окончательным и оптимальным. В попытке ответить на него отобраны физические параметры, критичные для детектирующей способности детектора. Они включают, прежде всего, подвижность, время жизни, атомный номер и удельное сопротивление. На основе выбранных параметров проведен анализ бинарных соединений с тетраэдрической структурой.

Among the semiconductor crystals employed in spectrometers and dosimeters the leading positions belongs to the wide-gap compounds Cd1-xZnxTe, CdTe, HgI2. The question arises whether it is the final and optimal choice. In an attempt to answer it, physical parameters, crucial for detector performance were selected. They include, first of all, mobility, lifetime, mean atomic number, and resistivity. An analysis of binary compounds with tetrahedral structure was done on the basis of the selected parameters

Ключ. слова: радиационные повреждения, полупроводникове детекторы, gamma-излучение, корпускулярное излучение, кремний, CdTe, CdZnTe
Індекс рубрикатора НБУВ: В381.592

Рубрики:

Напівпровідникові детектори і спектрометри

Шифр НБУВ: Ж29137 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Ключ. слова: полупроводники, CdTe, CdZnTe, блок детектирования, дозиметры, мощность дозы, gamma- и рентгеновское излучения
Індекс рубрикатора НБУВ: З42-5

Рубрики:

Дозиметрія ядерних випромінювань

Шифр НБУВ: Ж25189 Пошук видання у каталогах НБУВ 

На примере усовершенствованных ядерных реакторов третьего поколения (РТП) проанализированы основные тенденции развития ядерной энергетики начала 21 столетия. После определения поколений ядерных реакторов промышленного назначения кратко рассмотрены основные конструкции действующих реакторов второго поколения. Подробно рассмотрены существующие проекты и конструкции РТП как большой, так и малой мощности (мене 300 МВт(эл.)). РТП, представляя, как правило, эволюционное развитие предыдущего поколения, удовлетворяют ряд жестких требований и заметно экономичнее своих предшественников. В обзоре перечислены различные типы разрабатываемых в мире РТП. Россия является одной из ведущих стран мира в области реакторостроения, проекты которой реализованы на АЭС, действующих на территории Украины. В связи с этим отдельно рассмотрены РТП, разрабатываемые и строящиеся в этой стране. Одна из целей обзора заключается в попытке выяснить, какие мировые достижения в области реакторостроения на сегодняшний день могут быть востребованы в нашей стране и на что может ориентироваться Украина в будущем в своей ядерно-энергетической программе. Приведен краткий анализ современного состоянии ядерной энергетики Украины и рассмотрены задачи ее развития в 21 столетии с учетом "Энергетической стратегии Украины" и соответствующего сценария развития ее ядерно-энергетического комплекса на период до 2030 года.

Изложены основные свойства полупроводниковых детекторов из соединений CdTe и CdZnTe. Описаны физические процессы, которые приводят к обнаружению фотонов при их взаимодействии с веществом детектора, а также аспекты, связанные с применением детекторов в дозиметрии и спектрометрии гамма-излучения. Проанализированы результаты моделирования электрофизических свойств детекторов методами Монте-Карло. Представлены примеры применения детекторов на основе CdZnTe и CdTe для решения прикладных задач.